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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU9120N
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFU9120N - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU9120N
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU9120N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFR/U9120N.pdf
vorrätig: 4120

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Anzahl

Spezifikation

IRFU9120N Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU9120N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU9120N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 3.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU9120N.

Produkteigenschaften IRFU9120N IRFU9024N IRFU9120NPBF IRFU9110
Artikelnummer IRFU9120N IRFU9024N IRFU9120NPBF IRFU9110
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 55 V 100 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc) 11A (Tc) 6.6A (Tc) 3.1A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 38W (Tc) 40W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 3.9A, 10V 175mOhm @ 6.6A, 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V

IRFU9120N Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU9120N PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFU9120N - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRFR/U9120N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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