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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU9214
Vishay Siliconix
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IRFU9214 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFU9214
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU9214
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9214.pdf
vorrätig: 4480

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Spezifikation

IRFU9214 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFU9214 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFU9214

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFU9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFU9214.

Produkteigenschaften IRFU9214 IRFU9310 IRFU9220 IRFU9110PBF
Artikelnummer IRFU9214 IRFU9310 IRFU9220 IRFU9110PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.7A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA TO-251AA TO-251AA TO-251AA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Tc) 1.8A (Tc) 3.6A (Tc) 3.1A (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRFU9 IRFU9 IRFU9 IRFU9110
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 400 V 200 V 100 V

IRFU9214 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU9214 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFU9214 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9214.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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