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IRG4BC40SPBF Image
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IRG4BC40SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRG4BC40SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRG4BC40SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 60A 160W TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRG4BC40SPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3920

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Anzahl

Spezifikation

IRG4BC40SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRG4BC40SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRG4BC40SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 31A  
Testbedingung 480V, 31A, 10Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 22ns/650ns  
Schaltenergie 450µJ (on), 6.5mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Leistung - max 160 W  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 100 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 60 A  
Grundproduktnummer IRG4BC40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRG4BC40SPBF.

Produkteigenschaften IRG4BC40SPBF IRG4BH20K-S IRG4BC40KPBF IRG4BC40UPBF
Artikelnummer IRG4BC40SPBF IRG4BH20K-S IRG4BC40KPBF IRG4BC40UPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Leistung - max 160 W 60 W 160 W 160 W
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Serie - - - -
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Paket Tube Tube Tube Bulk
Schaltenergie 450µJ (on), 6.5mJ (off) 450µJ (on), 440µJ (off) 620µJ (on), 330µJ (off) 320µJ (on), 350µJ (off)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-220AB TO-220AB
Gate-Ladung 100 nC 28 nC 120 nC 150 nC
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120 A 22 A 84 A 160 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 1200 V 600 V 600 V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 22ns/650ns 23ns/93ns 30ns/140ns 34ns/110ns
IGBT-Typ - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 60 A 11 A 42 A 40 A
Testbedingung 480V, 31A, 10Ohm, 15V 960V, 5A, 50Ohm, 15V 480V, 25A, 10Ohm, 15V 480V, 20A, 10Ohm, 15V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 31A 4.3V @ 15V, 5A 2.6V @ 15V, 25A 2.1V @ 15V, 20A
Grundproduktnummer IRG4BC40 - IRG4BC40 -

IRG4BC40SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRG4BC40SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRG4BC40SPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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