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IRG4BH20K-S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRG4BH20K-S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRG4BH20K-S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRG4BH20K-S.pdf
vorrätig: 4050

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Spezifikation

IRG4BH20K-S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRG4BH20K-S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRG4BH20K-S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A  
Testbedingung 960V, 5A, 50Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/93ns  
Schaltenergie 450µJ (on), 440µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie -  
Leistung - max 60 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 28 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 22 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 11 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRG4BH20K-S.

Produkteigenschaften IRG4BH20K-S IRG4BC40W-SPBF IRG4IBC10UD IRG4IBC20KDPBF
Artikelnummer IRG4BH20K-S IRG4BC40W-SPBF IRG4IBC10UD IRG4IBC20KDPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Schaltenergie 450µJ (on), 440µJ (off) 110µJ (on), 230µJ (off) 140µJ (on), 120µJ (off) 340µJ (on), 300µJ (off)
Strom - Collector Pulsed (Icm) 22 A 160 A 27 A 23 A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Leistung - max 60 W 160 W 25 W 34 W
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Testbedingung 960V, 5A, 50Ohm, 15V 480V, 20A, 10Ohm, 15V 480V, 5A, 100Ohm, 15V 480V, 9A, 50Ohm, 15V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A 2.5V @ 15V, 20A 2.6V @ 15V, 5A 2.8V @ 15V, 9A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 600 V 600 V 600 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Serie - - - -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/93ns 27ns/100ns 40ns/87ns 54ns/180ns
Gate-Ladung 28 nC 98 nC 15 nC 34 nC
Strom - Kollektor (Ic) (max) 11 A 40 A 6.8 A 11.5 A
IGBT-Typ - - - -

IRG4BH20K-S Datenblatt PDF

Laden Sie IRG4BH20K-S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRG4BH20K-S - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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