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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL1404ZL
Infineon Technologies
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IRL1404ZL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL1404ZL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL1404ZL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 75A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL1404ZL.pdf
vorrätig: 4220

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Anzahl

Spezifikation

IRL1404ZL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL1404ZL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL1404ZL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL1404ZL.

Produkteigenschaften IRL1404ZL IRL2203NL IRL1404ZPBF IRL1404ZSTRLPBF
Artikelnummer IRL1404ZL IRL2203NL IRL1404ZPBF IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-220AB D2PAK
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 40 V 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V 110 nC @ 5 V 110 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 116A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)

IRL1404ZL Datenblatt PDF

Laden Sie IRL1404ZL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL1404ZL - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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