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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL1404ZLPBF
Infineon Technologies
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IRL1404ZLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL1404ZLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL1404ZLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL1404ZLPBF.pdf
vorrätig: 5470

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Anzahl

Spezifikation

IRL1404ZLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL1404ZLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL1404ZLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL1404ZLPBF.

Produkteigenschaften IRL1404ZLPBF IRL1404STRLPBF IRL1404ZSPBF IRL1404PBF
Artikelnummer IRL1404ZLPBF IRL1404STRLPBF IRL1404ZSPBF IRL1404PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 6590 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 D2PAK D2PAK TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 160A (Tc) 75A (Tc) 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.3V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V 110 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRL1404ZLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL1404ZLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL1404ZLPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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