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IRL2703PBF Image
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IRL2703PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL2703PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL2703PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL2703PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4810

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Anzahl

Spezifikation

IRL2703PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL2703PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL2703PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL2703PBF.

Produkteigenschaften IRL2703PBF IRL2703STRL IRL2203STRR IRL2703S
Artikelnummer IRL2703PBF IRL2703STRL IRL2203STRR IRL2703S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) 45W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 24A (Tc) 100A (Tc) 24A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 14A, 10V 40mOhm @ 14A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 40mOhm @ 14A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 110 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V

IRL2703PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL2703PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL2703PBF - Infineon Technologies herunter.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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