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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL2505L
Infineon Technologies
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IRL2505L - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL2505L
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL2505L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 104A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL2505L.pdf
vorrätig: 5340

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Anzahl

Spezifikation

IRL2505L Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL2505L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL2505L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 54A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 104A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL2505L.

Produkteigenschaften IRL2505L IRL2703SPBF IRL2505S IRL2203NSPBF
Artikelnummer IRL2505L IRL2703SPBF IRL2505S IRL2203NSPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 45W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 54A, 10V 40mOhm @ 14A, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 130 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 D2PAK D2PAK D2PAK
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 104A (Tc) 24A (Tc) 104A (Tc) 116A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 30 V 55 V 30 V

IRL2505L Datenblatt PDF

Laden Sie IRL2505L PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL2505L - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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