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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3303SPBF
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IRL3303SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3303SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3303SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL3303(L,S)PbF.pdf
vorrätig: 5210

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Spezifikation

IRL3303SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3303SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3303SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3303SPBF.

Produkteigenschaften IRL3303SPBF IRL3303S IRL3303 IRL3303LPBF
Artikelnummer IRL3303SPBF IRL3303S IRL3303 IRL3303LPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK TO-220AB TO-262
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc)

IRL3303SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3303SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3303SPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
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Datenblätter
IRL3303(L,S)PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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