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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3402
IRL3402 Image
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IRL3402 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3402
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3402
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL3402.pdf
vorrätig: 3850

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Anzahl

Spezifikation

IRL3402 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3402 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3402

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 51A, 7V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3402.

Produkteigenschaften IRL3402 IRL3303STRLPBF IRL3402PBF IRL3303
Artikelnummer IRL3402 IRL3303STRLPBF IRL3402PBF IRL3303
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-220AB TO-220AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 78 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 15 V 870 pF @ 25 V 3300 pF @ 15 V 870 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc) 38A (Tc) 85A (Tc) 38A (Tc)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 110W (Tc) 68W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 51A, 7V 26mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 51A, 7V 26mOhm @ 20A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V 4.5V, 10V 4.5V, 7V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±16V

IRL3402 Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3402 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3402 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRL3402.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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