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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3715ZLPBF
Infineon Technologies
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IRL3715ZLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3715ZLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3715ZLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 50A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL3715Z(S,L)PbF.pdf
vorrätig: 4530

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Spezifikation

IRL3715ZLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3715ZLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3715ZLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3715ZLPBF.

Produkteigenschaften IRL3715ZLPBF IRL3715Z IRL3716PBF IRL3715ZSPBF
Artikelnummer IRL3715ZLPBF IRL3715Z IRL3716PBF IRL3715ZSPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V 870 pF @ 10 V 5090 pF @ 10 V 870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 79 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 4mOhm @ 90A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 180A (Tc) 50A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 210W (Tc) 45W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-220AB TO-220AB D2PAK
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V

IRL3715ZLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3715ZLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3715ZLPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRL3715Z(S,L)PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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