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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3715ZSPBF
IRL3715ZSPBF Image
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IRL3715ZSPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3715ZSPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3715ZSPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL3715Z(S,L)PbF.pdf
vorrätig: 3800

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Spezifikation

IRL3715ZSPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3715ZSPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3715ZSPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3715ZSPBF.

Produkteigenschaften IRL3715ZSPBF IRL3715ZPBF IRL3716SPBF IRL3716LPBF
Artikelnummer IRL3715ZSPBF IRL3715ZPBF IRL3716SPBF IRL3716LPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V 870 pF @ 10 V 5090 pF @ 10 V 5090 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 210W (Tc) 210W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 79 nC @ 4.5 V 79 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB D2PAK TO-262
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 4mOhm @ 90A, 10V 4mOhm @ 90A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube

IRL3715ZSPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3715ZSPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3715ZSPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRL3715Z(S,L)PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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