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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3803PBF
IRL3803PBF Image
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IRL3803PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3803PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3803PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL3803PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 35339

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Anzahl

Spezifikation

IRL3803PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3803PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3803PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 71A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL3803  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3803PBF.

Produkteigenschaften IRL3803PBF IRL3803LPBF IRL3803 IRL3716LPBF
Artikelnummer IRL3803PBF IRL3803LPBF IRL3803 IRL3716LPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IRL3803 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc) 140A (Tc) 140A (Tc) 180A (Tc)
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200W (Tc) 210W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 79 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 5090 pF @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 71A, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 4mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-262 TO-220AB TO-262
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 20 V

IRL3803PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3803PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3803PBF - Infineon Technologies herunter.

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