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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3803
IRL3803 Image
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IRL3803 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3803
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3803
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL3803.pdf
vorrätig: 5110

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Anzahl

Spezifikation

IRL3803 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3803 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3803

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 71A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3803.

Produkteigenschaften IRL3803 IRL3715ZSPBF IRL3803LPBF IRL3716LPBF
Artikelnummer IRL3803 IRL3715ZSPBF IRL3803LPBF IRL3716LPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 870 pF @ 10 V 5000 pF @ 25 V 5090 pF @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.55V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 79 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 30 V 20 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±20V
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 45W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 71A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 4mOhm @ 90A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-262 TO-262
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc) 50A (Tc) 140A (Tc) 180A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRL3803 Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3803 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3803 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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