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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL7486MTRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL7486MTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL7486MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL7486MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric ME
Datenblatt
IRL7486MTRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 26793

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Anzahl

Spezifikation

IRL7486MTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL7486MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL7486MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric ME  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 123A, 10V  
Verlustleistung (max) 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric ME  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6904 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 209A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL7486  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL7486MTRPBF.

Produkteigenschaften IRL7486MTRPBF IRL7833SPBF IRL640SPBF IRL7472L1TRPBF
Artikelnummer IRL7486MTRPBF IRL7833SPBF IRL640SPBF IRL7472L1TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111 nC @ 4.5 V 47 nC @ 4.5 V 66 nC @ 5 V 330 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric ME D2PAK D²PAK (TO-263) DirectFET™ Isometric L8
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA 2.3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6904 pF @ 25 V 4170 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V 20082 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 104W (Tc) 140W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 123A, 10V 3.8mOhm @ 38A, 10V 180mOhm @ 10A, 5V 0.59mOhm @ 195A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±10V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 209A (Tc) 150A (Tc) 17A (Tc) 375A (Tc)
Grundproduktnummer IRL7486 - IRL640 IRL7472
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 200 V 40 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® - StrongIRFET™
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric ME TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB DirectFET™ Isometric L8

IRL7486MTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL7486MTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL7486MTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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