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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL640STRLPBF
Vishay Siliconix
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IRL640STRLPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL640STRLPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL640STRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL640S,SiHL640S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19162

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Anzahl

Spezifikation

IRL640STRLPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL640STRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL640STRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL640  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL640STRLPBF.

Produkteigenschaften IRL640STRLPBF IRL640 IRL7486MTRPBF IRL640A
Artikelnummer IRL640STRLPBF IRL640 IRL7486MTRPBF IRL640A
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 209A (Tc) 18A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 150µA 2V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 6904 pF @ 25 V 1705 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4.5V, 10V 5V
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 125W (Tc) 104W (Tc) 110W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 DirectFET™ Isometric ME TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220AB DirectFET™ Isometric ME TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 40 V 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 111 nC @ 4.5 V 56 nC @ 5 V
Grundproduktnummer IRL640 IRL640 IRL7486 IRL640
Serie - - HEXFET®, StrongIRFET™ -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V 180mOhm @ 10A, 5V 1.25mOhm @ 123A, 10V 180mOhm @ 9A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±20V

IRL640STRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL640STRLPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL640STRLPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRL640S,SiHL640S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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