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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL8113PBF
IRL8113PBF Image
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IRL8113PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL8113PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL8113PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL8113(S,L)PbF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3660

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Anzahl

Spezifikation

IRL8113PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL8113PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL8113PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL8113PBF.

Produkteigenschaften IRL8113PBF IRL7833SPBF IRL8113SPBF IRL7833STRLPBF
Artikelnummer IRL8113PBF IRL7833SPBF IRL8113SPBF IRL7833STRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 47 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V 47 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 140W (Tc) 110W (Tc) 140W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 15 V 4170 pF @ 15 V 2840 pF @ 15 V 4170 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc) 150A (Tc) 105A (Tc) 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V 3.8mOhm @ 38A, 10V 6mOhm @ 21A, 10V 3.8mOhm @ 38A, 10V

IRL8113PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL8113PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL8113PBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRL8113(S,L)PbF.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Add 18/Oct/2018.pdf

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