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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL8113S
IRL8113S Image
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IRL8113S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL8113S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL8113S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL8113S.pdf
vorrätig: 4520

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Anzahl

Spezifikation

IRL8113S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL8113S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL8113S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL8113S.

Produkteigenschaften IRL8113S IRL80HS120 IRL7833STRLPBF IRL8113PBF
Artikelnummer IRL8113S IRL80HS120 IRL7833STRLPBF IRL8113PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 6-PowerVDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 15 V 540 pF @ 25 V 4170 pF @ 15 V 2840 pF @ 15 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse D2PAK 6-PQFN (2x2) (DFN2020) D2PAK TO-220AB
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V 32mOhm @ 7.5A, 10V 3.8mOhm @ 38A, 10V 6mOhm @ 21A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc) 12.5A (Tc) 150A (Tc) 105A (Tc)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 11.5W (Tc) 140W (Tc) 110W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 7 nC @ 4.5 V 47 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 80 V 30 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2V @ 10µA 2.3V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRL8113S Datenblatt PDF

Laden Sie IRL8113S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL8113S - Infineon Technologies herunter.

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