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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLH5036TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLH5036TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLH5036TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLH5036TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRLH5036TRPBF.pdf
vorrätig: 4370

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Spezifikation

IRLH5036TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLH5036TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLH5036TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 100A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLH5036TRPBF.

Produkteigenschaften IRLH5036TRPBF IRLH5034TRPBF IRLD024 IRLD110
Artikelnummer IRLH5036TRPBF IRLH5034TRPBF IRLD024 IRLD110
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 100mOhm @ 1.5A, 5V 540mOhm @ 600mA, 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5360 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 100A (Tc) 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5A (Ta) 1A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA 2.5V @ 150µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 60 V 100 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)

IRLH5036TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLH5036TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLH5036TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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