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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLD024
IRLD024 Image
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IRLD024 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLD024
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLD024
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
IRLD024.pdf
vorrätig: 4390

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Spezifikation

IRLD024 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLD024 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLD024

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.5A, 5V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)  
Grundproduktnummer IRLD024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLD024.

Produkteigenschaften IRLD024 IRLD110PBF IRLD014PBF IRLD120
Artikelnummer IRLD024 IRLD110PBF IRLD014PBF IRLD120
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 60 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.5A, 5V 540mOhm @ 600mA, 5V 200mOhm @ 1A, 5V 270mOhm @ 780mA, 5V
Grundproduktnummer IRLD024 IRLD110 IRLD014 IRLD120
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta) 1A (Ta) 1.7A (Ta) 1.3A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Serie - - - -

IRLD024 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLD024 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLD024 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Datenblätter
IRLD024.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRLD024

Vishay Siliconix
32D-IRLD024

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