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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLHM630TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLHM630TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLHM630TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLHM630TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VQFN Exposed Pad
Datenblatt
IRLHM630TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 76350

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Anzahl

Spezifikation

IRLHM630TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLHM630TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLHM630TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (3x3)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-VQFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLHM630  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLHM630TRPBF.

Produkteigenschaften IRLHM630TRPBF IRLH6224TR2PBF IRLHS6242TR2PBF IRLH6224TRPBF
Artikelnummer IRLHM630TRPBF IRLH6224TR2PBF IRLHS6242TR2PBF IRLH6224TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF @ 25 V 3710 pF @ 10 V 1110 pF @ 10 V 3710 pF @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 6-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Supplier Device-Gehäuse PQFN (3x3) 8-PQFN (5x6) 6-PQFN (2x2) 8-PQFN (5x6)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc) - - 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Grundproduktnummer IRLHM630 - - IRLH6224
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA 1.1V @ 50µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 50µA
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V - - 2.5V, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc) 28A (Ta), 105A (Tc) 10A (Ta), 12A (Tc) 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 4.5V 3mOhm @ 20A, 4.5V 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V 3mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V - - ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 4.5 V 86 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 86 nC @ 10 V

IRLHM630TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLHM630TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLHM630TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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