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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLHS6242TR2PBF
Infineon Technologies
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IRLHS6242TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLHS6242TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLHS6242TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-PowerVDFN
Datenblatt
IRLHS6242TR2PBF.pdf
vorrätig: 3780

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Spezifikation

IRLHS6242TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLHS6242TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLHS6242TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse 6-PowerVDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 12A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLHS6242TR2PBF.

Produkteigenschaften IRLHS6242TR2PBF IRLHS6342TRPBF IRLHS2242TRPBF IRLHS6242TRPBF
Artikelnummer IRLHS6242TR2PBF IRLHS6342TRPBF IRLHS2242TRPBF IRLHS6242TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2) 6-PQFN (2x2) 6-PQFN (2x2) (DFN2020) 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 12 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V 31mOhm @ 8.5A, 4.5V 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 10 V 1019 pF @ 25 V 877 pF @ 10 V 1110 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 12A (Tc) 8.7A (Ta), 19A (Tc) 7.2A (Ta), 15A (Tc) 10A (Ta), 12A (Tc)

IRLHS6242TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLHS6242TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLHS6242TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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