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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI3803
Infineon Technologies
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IRLI3803 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLI3803
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI3803
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLI3803.pdf
vorrätig: 4730

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Anzahl

Spezifikation

IRLI3803 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLI3803 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLI3803

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLI3803.

Produkteigenschaften IRLI3803 IRLI530G IRLI3705NPBF IRLI520N
Artikelnummer IRLI3803 IRLI530G IRLI3705NPBF IRLI520N
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V 28 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V 10mOhm @ 28A, 10V 180mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP TO-220-3 TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±16V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 42W (Tc) 58W (Tc) 30W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V 55 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc) 9.7A (Tc) 52A (Tc) 8.1A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

IRLI3803 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI3803 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLI3803 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRLI3803.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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