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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI3803PBF
IRLI3803PBF Image
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IRLI3803PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLI3803PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI3803PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLI3803PbF.pdf
vorrätig: 5140

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Anzahl

Spezifikation

IRLI3803PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLI3803PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLI3803PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLI3803PBF.

Produkteigenschaften IRLI3803PBF IRLI3803 IRLI530G IRLI520GPBF
Artikelnummer IRLI3803PBF IRLI3803 IRLI530G IRLI520GPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 100 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc) 76A (Tc) 9.7A (Tc) 7.2A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 63W (Tc) 42W (Tc) 37W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V 6mOhm @ 40A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V 270mOhm @ 4.3A, 5V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 28 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA

IRLI3803PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI3803PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLI3803PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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