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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLL024ZPBF
International Rectifier
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IRLL024ZPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRLL024ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLL024ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRLL024ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5420

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Anzahl

Spezifikation

IRLL024ZPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRLL024ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRLL024ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRLL024ZPBF.

Produkteigenschaften IRLL024ZPBF IRLL024NPBF IRLL110 IRLL110PBF
Artikelnummer IRLL024ZPBF IRLL024NPBF IRLL110 IRLL110PBF
Hersteller International Rectifier International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4V, 5V 4V, 5V
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3A, 10V 65mOhm @ 3.1A, 10V 540mOhm @ 900mA, 5V 540mOhm @ 900mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V 15.6 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 3.1A (Ta) 1.5A (Tc) 1.5A (Tc)
Paket Bulk Bulk Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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