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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLL110PBF
IRLL110PBF Image
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IRLL110PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLL110PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLL110PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRLL110.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4750

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Anzahl

Spezifikation

IRLL110PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLL110PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLL110PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLL110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLL110PBF.

Produkteigenschaften IRLL110PBF IRLL024ZTRPBF IRLL2703 IRLL110TRPBF-BE3
Artikelnummer IRLL110PBF IRLL024ZTRPBF IRLL2703 IRLL110TRPBF-BE3
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 14 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 5V 60mOhm @ 3A, 10V 45mOhm @ 3.9A, 10V 540mOhm @ 900mA, 5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 5V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Tc) 5A (Tc) 3.9A (Ta) 1.5A (Tc)
Grundproduktnummer IRLL110 IRLL024 - IRLL110
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 55 V 30 V 100 V
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±16V ±16V ±10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V

IRLL110PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLL110PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLL110PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SOT-223 Tube Package 02/Jul/2015.pdf
Datenblätter
IRLL110.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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