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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLML5103GTRPBF
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IRLML5103GTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLML5103GTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLML5103GTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Datenblatt
IRLML5103GPbF.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 411000

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Spezifikation

IRLML5103GTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLML5103GTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLML5103GTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Prüfung 75pF @ 25V  
Spannung - Durchschlag Micro3™/SOT-23  
VGS (th) (Max) @ Id 600 mOhm @ 600mA, 10V  
Vgs (Max) 4.5V, 10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Serie HEXFET®  
RoHS Status Cut Tape (CT)  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760mA (Ta)  
Polarisation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Andere Namen IRLML5103GTRPBFCT  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks  
Hersteller-Teilenummer IRLML5103GTRPBF  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5.1nC @ 10V  
IGBT-Typ ±20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1V @ 250µA  
FET-Merkmal P-Channel  
Expanded Beschreibung P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30V  
Kapazitätsverhältnis 540mW (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLML5103GTRPBF.

Produkteigenschaften IRLML5103GTRPBF IRLML2803GTRPBF IRLML5203 IRLML5203GTRPBF
Artikelnummer IRLML5103GTRPBF IRLML2803GTRPBF IRLML5203 IRLML5203GTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1V @ 250µA 1V @ 250µA 14 nC @ 10 V 2.5V @ 250µA
RoHS Status Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)
Spannung - Durchschlag Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 - Micro3™/SOT-23
Hersteller-Teilenummer IRLML5103GTRPBF IRLML2803GTRPBF - IRLML5203GTRPBF
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - 30 V -
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks 10 Weeks - 13 Weeks
FET-Merkmal P-Channel N-Channel - P-Channel
Spannung - Prüfung 75pF @ 25V 85pF @ 25V - 510pF @ 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Expanded Beschreibung P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 - P-Channel 30V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Andere Namen IRLML5103GTRPBFCT IRLML2803GTRPBFCT - IRLML5203GTRPBF-ND
IRLML5203GTRPBFTR
SP001567222
Polarisation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5.1nC @ 10V 5nC @ 10V 510 pF @ 25 V 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760mA (Ta) 1.2A (Ta) 98mOhm @ 3A, 10V 3A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 600 mOhm @ 600mA, 10V 250 mOhm @ 910mA, 10V 2.5V @ 250µA 98 mOhm @ 3A, 10V
Kapazitätsverhältnis 540mW (Ta) 540mW (Ta) - 1.25W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30V 30V 3A (Ta) 30V
IGBT-Typ ±20V ±20V - ±20V
Vgs (Max) 4.5V, 10V 4.5V, 10V ±20V 4.5V, 10V
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited) 1 (Unlimited) - 1 (Unlimited)
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 - MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3

IRLML5103GTRPBF Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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