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IRLML5103TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLML5103TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLML5103TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
IRLML5103.pdf
vorrätig: 3870

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Spezifikation

IRLML5103TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLML5103TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLML5103TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro3™/SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 760mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLML5103TR.

Produkteigenschaften IRLML5103TR IRLML2803TR IRLML5203GTRPBF IRLML5203TRPBF
Artikelnummer IRLML5103TR IRLML2803TR IRLML5203GTRPBF IRLML5203TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 25 V 85 pF @ 25 V 14nC @ 10V 510 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - P-Channel -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V 250mOhm @ 910mA, 10V 3A (Ta) 98mOhm @ 3A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 760mA (Ta) 1.2A (Ta) 30V 3A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Paket Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 98 mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V - 30 V
Supplier Device-Gehäuse Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 - Micro3™/SOT-23
Typ FET P-Channel N-Channel - P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRLML5103TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLML5103TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLML5103TR - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Leaded Parts 09/Jul/2013.pdf
Datenblätter
IRLML5103.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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