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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLML5203TRPBF
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IRLML5203TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLML5203TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLML5203TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
IRLML5203TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 261310

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Anzahl

Spezifikation

IRLML5203TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLML5203TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLML5203TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro3™/SOT-23  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer IRLML5203  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLML5203TRPBF.

Produkteigenschaften IRLML5203TRPBF IRLML5203 IRLML6244TRPBF IRLML5103TR
Artikelnummer IRLML5203TRPBF IRLML5203 IRLML6244TRPBF IRLML5103TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.1V @ 10µA 1V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 3A (Ta) 6.3A (Ta) 760mA (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 700 pF @ 16 V 75 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3A, 10V 98mOhm @ 3A, 10V 21mOhm @ 6.3A, 4.5V 600mOhm @ 600mA, 10V
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.3W (Ta) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 8.9 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V -
Grundproduktnummer IRLML5203 - IRLML6244 -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V -

IRLML5203TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLML5203TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLML5203TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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