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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLML6302GTRPBF
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IRLML6302GTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLML6302GTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLML6302GTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Datenblatt
IRLML6302GPbF.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 240000

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Spezifikation

IRLML6302GTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLML6302GTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLML6302GTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Prüfung 97pF @ 15V  
Spannung - Durchschlag Micro3™/SOT-23  
VGS (th) (Max) @ Id 600 mOhm @ 610mA, 4.5V  
Vgs (Max) 2.7V, 4.5V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Serie HEXFET®  
RoHS Status Cut Tape (CT)  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mA (Ta)  
Polarisation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Andere Namen IRLML6302GTRPBFCT  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks  
Hersteller-Teilenummer IRLML6302GTRPBF  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.6nC @ 4.5V  
IGBT-Typ ±12V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5V @ 250µA  
FET-Merkmal P-Channel  
Expanded Beschreibung P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20V  
Kapazitätsverhältnis 540mW (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLML6302GTRPBF.

Produkteigenschaften IRLML6302GTRPBF IRLML6346TRPBF IRLML6244TRPBF IRLML6302TRPBF
Artikelnummer IRLML6302GTRPBF IRLML6346TRPBF IRLML6244TRPBF IRLML6302TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal P-Channel - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5V @ 250µA 2.9 nC @ 4.5 V 8.9 nC @ 4.5 V 3.6 nC @ 4.45 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.6nC @ 4.5V 270 pF @ 24 V 700 pF @ 16 V 97 pF @ 15 V
IGBT-Typ ±12V - - -
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 - - -
RoHS Status Cut Tape (CT) - - -
Vgs (Max) 2.7V, 4.5V ±12V ±12V ±12V
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mA (Ta) 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 21mOhm @ 6.3A, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) - 30 V 20 V 20 V
Expanded Beschreibung P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 - - -
VGS (th) (Max) @ Id 600 mOhm @ 610mA, 4.5V 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.5V @ 250µA
Polarisation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Spannung - Prüfung 97pF @ 15V - - -
Spannung - Durchschlag Micro3™/SOT-23 - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Hersteller-Teilenummer IRLML6302GTRPBF - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Kapazitätsverhältnis 540mW (Ta) - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20V 3.4A (Ta) 6.3A (Ta) 780mA (Ta)
Andere Namen IRLML6302GTRPBFCT - - -

IRLML6302GTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLML6302GTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLML6302GTRPBF - Infineon Technologies herunter.

Datenblätte
IRLML6302GPbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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