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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLML6302TR
IRLML6302TR Image
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IRLML6302TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLML6302TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLML6302TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
IRLML6302.pdf
vorrätig: 5040

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Spezifikation

IRLML6302TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLML6302TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLML6302TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro3™/SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 610mA, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 97 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6 nC @ 4.45 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 780mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLML6302TR.

Produkteigenschaften IRLML6302TR IRLML6246TRPBF IRLML6346TRPBF IRLML6302TRPBF
Artikelnummer IRLML6302TR IRLML6246TRPBF IRLML6346TRPBF IRLML6302TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6 nC @ 4.45 V 3.5 nC @ 4.5 V 2.9 nC @ 4.5 V 3.6 nC @ 4.45 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 610mA, 4.5V 46mOhm @ 4.1A, 4.5V 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 97 pF @ 15 V 290 pF @ 16 V 270 pF @ 24 V 97 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.1V @ 5µA 1.1V @ 10µA 1.5V @ 250µA
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 780mA (Ta) 4.1A (Ta) 3.4A (Ta) 780mA (Ta)
Supplier Device-Gehäuse Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -

IRLML6302TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLML6302TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLML6302TR - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRLML6302.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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