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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLML6401GTRPBF
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IRLML6401GTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLML6401GTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLML6401GTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Datenblatt
IRLML6401GPbF.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 378100

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Spezifikation

IRLML6401GTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLML6401GTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLML6401GTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Prüfung 830pF @ 10V  
Spannung - Durchschlag Micro3™/SOT-23  
VGS (th) (Max) @ Id 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V  
Vgs (Max) 1.8V, 4.5V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Serie HEXFET®  
RoHS Status Tape & Reel (TR)  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3A (Ta)  
Polarisation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Andere Namen IRLML6401GTRPBF-ND
IRLML6401GTRPBFTR
SP001568584
 
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 13 Weeks  
Hersteller-Teilenummer IRLML6401GTRPBF  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15nC @ 5V  
IGBT-Typ ±8V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 950mV @ 250µA  
FET-Merkmal P-Channel  
Expanded Beschreibung P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Beschreibung MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12V  
Kapazitätsverhältnis 1.3W (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLML6401GTRPBF.

Produkteigenschaften IRLML6401GTRPBF IRLML6346TRPBF IRLML6302TRPBF IRLML6402GTRPBF
Artikelnummer IRLML6401GTRPBF IRLML6346TRPBF IRLML6302TRPBF IRLML6402GTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Spannung - Durchschlag Micro3™/SOT-23 - - -
Expanded Beschreibung P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 - - -
Beschreibung MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 - - -
Hersteller Standard Vorlaufzeit 13 Weeks - - -
Spannung - Prüfung 830pF @ 10V - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15nC @ 5V 270 pF @ 24 V 97 pF @ 15 V 633 pF @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) - 30 V 20 V 20 V
Kapazitätsverhältnis 1.3W (Ta) - - -
Vgs (Max) 1.8V, 4.5V ±12V ±12V ±12V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Hersteller-Teilenummer IRLML6401GTRPBF - - -
IGBT-Typ ±8V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.1V @ 10µA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3A (Ta) 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Andere Namen IRLML6401GTRPBF-ND
IRLML6401GTRPBFTR
SP001568584
- - -
FET-Merkmal P-Channel - - -
Polarisation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
RoHS Status Tape & Reel (TR) - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 950mV @ 250µA 2.9 nC @ 4.5 V 3.6 nC @ 4.45 V 12 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12V 3.4A (Ta) 780mA (Ta) 3.7A (Ta)

IRLML6401GTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLML6401GTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLML6401GTRPBF - Infineon Technologies herunter.

Datenblätte
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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