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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLML6401TR
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IRLML6401TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLML6401TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLML6401TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
IRLML6401.pdf
vorrätig: 4720

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Spezifikation

IRLML6401TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLML6401TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLML6401TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro3™/SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.3A, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLML6401TR.

Produkteigenschaften IRLML6401TR IRLML6401TRPBF IRLML6402TR IRLML6346TRPBF
Artikelnummer IRLML6401TR IRLML6401TRPBF IRLML6402TR IRLML6346TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 12 V 20 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 2.9 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 10 V 830 pF @ 10 V 633 pF @ 10 V 270 pF @ 24 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Ta) 4.3A (Ta) 3.7A (Ta) 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.3A, 4.5V 50mOhm @ 4.3A, 4.5V 65mOhm @ 3.7A, 4.5V 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.1V @ 10µA
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

IRLML6401TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLML6401TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLML6401TR - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRLML6401.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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