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IRLMS6702TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLMS6702TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLMS6702TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
IRLMS6702.pdf
vorrätig: 4860

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Spezifikation

IRLMS6702TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLMS6702TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLMS6702TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(SOT23-6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLMS6702TR.

Produkteigenschaften IRLMS6702TR IRLR014 IRLMS5703TR IRLMS6702TRPBF
Artikelnummer IRLMS6702TR IRLR014 IRLMS5703TR IRLMS6702TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 2V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V 8.4 nC @ 5 V 11 nC @ 10 V 8.8 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 15 V 400 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 210 pF @ 15 V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 SOT-23-6
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(SOT23-6) D-Pak Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 200mOhm @ 1.6A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Serie - - - HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 60 V 30 V 20 V
Paket Cut Tape (CT) Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta) 7.7A (Tc) 2.3A (Ta) 2.4A (Ta)

IRLMS6702TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLMS6702TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLMS6702TR - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Apr/2013.pdf
Datenblätter
IRLMS6702.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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