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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR014
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLR014 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLR014
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR014
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR014, IRLU014.pdf
vorrätig: 3620

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Anzahl

Spezifikation

IRLR014 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLR014 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLR014

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.7A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLR014  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLR014.

Produkteigenschaften IRLR014 IRLR014NTRPBF IRLMS6802TR IRLR014NPBF
Artikelnummer IRLR014 IRLR014NTRPBF IRLMS6802TR IRLR014NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 5V 140mOhm @ 6A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 4.5V 140mOhm @ 6A, 10V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Grundproduktnummer IRLR014 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.7A (Tc) 10A (Tc) 5.6A (Ta) 10A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±16V - ±16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 7.9 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 7.9 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak Micro6™(SOT23-6) D-Pak
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 55 V 20 V 55 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 265 pF @ 25 V 1079 pF @ 10 V 265 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 28W (Tc) - 28W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube

IRLR014 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR014 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLR014 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRLR014, IRLU014.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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