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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR024ZTRPBF
IRLR024ZTRPBF Image
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IRLR024ZTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR024ZTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR024ZTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR024ZPbF, IRLU024ZPbF.pdf
vorrätig: 4490

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Spezifikation

IRLR024ZTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR024ZTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR024ZTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 9.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.9 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR024ZTRPBF.

Produkteigenschaften IRLR024ZTRPBF IRLR024ZTRLPBF IRLR110ATF IRLR120
Artikelnummer IRLR024ZTRPBF IRLR024ZTRLPBF IRLR110ATF IRLR120
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 9.6A, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V 440mOhm @ 2.35A, 5V 270mOhm @ 4.6A, 5V
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 35W (Tc) 2.5W (Ta), 22W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V 4V, 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.9 nC @ 5 V 9.9 nC @ 5 V 8 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 100 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak TO-252AA D-Pak
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 4.7A (Tc) 7.7A (Tc)

IRLR024ZTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR024ZTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR024ZTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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