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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR110PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLR110PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLR110PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR110PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf
RoHS Status
vorrätig: 76950

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Anzahl

Spezifikation

IRLR110PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLR110PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLR110PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLR110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLR110PBF.

Produkteigenschaften IRLR110PBF IRLR120 IRLR110TRPBF IRLR120ATF
Artikelnummer IRLR110PBF IRLR120 IRLR110TRPBF IRLR120ATF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 5V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V 270mOhm @ 4.6A, 5V 540mOhm @ 2.6A, 5V 220mOhm @ 4.2A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak TO-252, (D-Pak)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IRLR110 IRLR120 IRLR110 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc) 7.7A (Tc) 4.3A (Tc) 8.4A (Tc)

IRLR110PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR110PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLR110PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014.pdf
Datenblätter
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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