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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR2905ZPBF
IRLR2905ZPBF Image
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IRLR2905ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR2905ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR2905ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR2905ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3760

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Anzahl

Spezifikation

IRLR2905ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR2905ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR2905ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR2905ZPBF.

Produkteigenschaften IRLR2905ZPBF IRLR2908TRLPBF IRLR2905Z IRLR2908PBF
Artikelnummer IRLR2905ZPBF IRLR2908TRLPBF IRLR2905Z IRLR2908PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V 28mOhm @ 23A, 10V 13.5mOhm @ 36A, 10V 28mOhm @ 23A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 30A (Tc) 42A (Tc) 30A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 33 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V 33 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 120W (Tc) 110W (Tc) 120W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 1570 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 80 V 55 V 80 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRLR2905ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR2905ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR2905ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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