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IRLR2905ZTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR2905ZTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR2905ZTRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 62940

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Anzahl

Spezifikation

IRLR2905ZTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR2905ZTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR2905ZTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLR2905  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR2905ZTRPBF.

Produkteigenschaften IRLR2905ZTRPBF IRLR2908PBF IRLR3103TR IRLR3103
Artikelnummer IRLR2905ZTRPBF IRLR2908PBF IRLR3103TR IRLR3103
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 120W (Tc) 107W (Tc) 107W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 33 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V 28mOhm @ 23A, 10V 19mOhm @ 33A, 10V 19mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 80 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 30A (Tc) 55A (Tc) 55A (Tc)
Grundproduktnummer IRLR2905 - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRLR2905ZTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR2905ZTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR2905ZTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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