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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR8721TRPBF
IRLR8721TRPBF Image
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IRLR8721TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR8721TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR8721TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR8721PbF, IRLU8721PbF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4340

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Anzahl

Spezifikation

IRLR8721TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR8721TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR8721TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 65W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR8721TRPBF.

Produkteigenschaften IRLR8721TRPBF IRLR8726PBF IRLR8726TRLPBF IRLR8503TRRPBF
Artikelnummer IRLR8721TRPBF IRLR8726PBF IRLR8726TRLPBF IRLR8503TRRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak TO-252AA D-Pak D-Pak
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc) 86A (Tc) 86A (Tc) 44A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 3V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 16mOhm @ 15A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 65W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 62W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 1650 pF @ 25 V

IRLR8721TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR8721TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR8721TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Mult Devices EOL 08/May/2019.pdf
Datenblätter
IRLR8721PbF, IRLU8721PbF.pdf

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