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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR8729PBF
International Rectifier
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IRLR8729PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRLR8729PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR8729PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR8729PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4560

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Anzahl

Spezifikation

IRLR8729PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRLR8729PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRLR8729PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 55W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRLR8729PBF.

Produkteigenschaften IRLR8729PBF IRLR8726TRPBF IRLR8726PBF IRLR8743PBF
Artikelnummer IRLR8729PBF IRLR8726TRPBF IRLR8726PBF IRLR8743PBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 2150 pF @ 15 V 4880 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 55W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 135W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 100µA
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA D-Pak TO-252AA D-Pak
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 86A (Tc) 86A (Tc) 160A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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