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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS21171SPBF
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IRS21171SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS21171SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS21171SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
vorrätig: 5040

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Spezifikation

IRS21171SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS21171SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS21171SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IRS21171  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS21171SPBF.

Produkteigenschaften IRS21171SPBF IRS2112STRPBF IRS2118PBF IRS2113SPBF
Artikelnummer IRS21171SPBF IRS2112STRPBF IRS2118PBF IRS2113SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Anzahl der Treiber 1 2 1 2
Angetriebene Konfiguration High-Side Half-Bridge High-Side Half-Bridge
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Inverting Non-Inverting
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 2.5A, 2.5A
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IRS21171 IRS2112 IRS2118 IRS2113
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 35ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns 25ns, 17ns
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Ladestrom Single Independent Single Independent
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 16-SOIC 8-PDIP 16-SOIC

IRS21171SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS21171SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS21171SPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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