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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS2117PBF
IRS2117PBF Image
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IRS2117PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2117PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2117PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
IRS211 (7,71,8) (S) PbF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12787

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Anzahl

Spezifikation

IRS2117PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2117PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2117PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IRS2117  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2117PBF.

Produkteigenschaften IRS2117PBF IRS2117STRPBF IRS2118PBF IRS2117SPBF
Artikelnummer IRS2117PBF IRS2117STRPBF IRS2118PBF IRS2117SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Ladestrom Single Single Single Single
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 35ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Inverting Non-Inverting
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 8-SOIC 8-PDIP 8-SOIC
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Serie - - - -
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Grundproduktnummer IRS2117 IRS2117 IRS2118 IRS2117
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side High-Side High-Side
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount

IRS2117PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2117PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2117PBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRS211 (7,71,8) (S) PbF.pdf
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Mult Dev EOL 9/Mar/2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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