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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelSDT04S60
Infineon Technologies
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SDT04S60 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SDT04S60
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SDT04S60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
SDT04S60.pdf
vorrätig: 4210

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Anzahl

Spezifikation

SDT04S60 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SDT04S60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SDT04S60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9 V @ 4 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-2  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 600 V  
Strom - Richt (Io) 4A  
Kapazität @ Vr, F 150pF @ 0V, 1MHz  
Grundproduktnummer SDT04S  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SDT04S60.

Produkteigenschaften SDT04S60 SDT06S60 SDT08S60 SDT-S-112DMR
Artikelnummer SDT04S60 SDT06S60 SDT08S60 SDT-S-112DMR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Tyco Electronics
Serie CoolSiC™+ CoolSiC™+ CoolSiC™+ -
Grundproduktnummer SDT04S SDT06S SDT08S -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 600 V 200 µA @ 600 V 300 µA @ 600 V -
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 -
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -
Paket Tube Tube Tube -
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) -
Strom - Richt (Io) 4A 6A 8A -
Kapazität @ Vr, F 150pF @ 0V, 1MHz 300pF @ 0V, 1MHz 280pF @ 0V, 1MHz -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V 600 V 600 V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns 0 ns 0 ns -
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9 V @ 4 A 1.7 V @ 6 A 1.7 V @ 8 A -

SDT04S60 Datenblatt PDF

Laden Sie SDT04S60 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SDT04S60 - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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