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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelSDT06S60
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SDT06S60 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SDT06S60
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SDT06S60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
SDT06S60.pdf
vorrätig: 5180

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Anzahl

Spezifikation

SDT06S60 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SDT06S60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SDT06S60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 6 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-2  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 600 V  
Strom - Richt (Io) 6A  
Kapazität @ Vr, F 300pF @ 0V, 1MHz  
Grundproduktnummer SDT06S  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SDT06S60.

Produkteigenschaften SDT06S60 SDT04S60 SDT08S60 SDT03N04
Artikelnummer SDT06S60 SDT04S60 SDT08S60 SDT03N04
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies SAMHOP
Strom - Richt (Io) 6A 4A 8A -
Paket Tube Tube Tube -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns 0 ns 0 ns -
Grundproduktnummer SDT06S SDT04S SDT08S -
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 -
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 600 V 200 µA @ 600 V 300 µA @ 600 V -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 6 A 1.9 V @ 4 A 1.7 V @ 8 A -
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -
Kapazität @ Vr, F 300pF @ 0V, 1MHz 150pF @ 0V, 1MHz 280pF @ 0V, 1MHz -
Serie CoolSiC™+ CoolSiC™+ CoolSiC™+ -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V 600 V 600 V -
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky -

SDT06S60 Datenblatt PDF

Laden Sie SDT06S60 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SDT06S60 - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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