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Südamerika / Ozeanien
New Zealand(Maori) Brazil(Português) Angola(Português) Mozambique(Português)
Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelSDT06S60
Infineon Technologies
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SDT06S60 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SDT06S60
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SDT06S60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
SDT06S60.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5180

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Spezifikation

SDT06S60 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SDT06S60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SDT06S60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 6 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-2  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 600 V  
Strom - Richt (Io) 6A  
Kapazität @ Vr, F 300pF @ 0V, 1MHz  
Grundproduktnummer SDT06S  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SDT06S60.

Produkteigenschaften SDT06S60 SDT08S60 SDT04S60 SDT05SF
Artikelnummer SDT06S60 SDT08S60 SDT04S60 SDT05SF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies AUK
Strom - Richt (Io) 6A 8A 4A -
Paket Tube Tube Tube -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns 0 ns 0 ns -
Grundproduktnummer SDT06S SDT08S SDT04S -
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 -
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 600 V 300 µA @ 600 V 200 µA @ 600 V -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 6 A 1.7 V @ 8 A 1.9 V @ 4 A -
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -
Kapazität @ Vr, F 300pF @ 0V, 1MHz 280pF @ 0V, 1MHz 150pF @ 0V, 1MHz -
Serie CoolSiC™+ CoolSiC™+ CoolSiC™+ -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V 600 V 600 V -
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky -

SDT06S60 Datenblatt PDF

Laden Sie SDT06S60 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SDT06S60 - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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