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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPP15P10P
SPP15P10P Image
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SPP15P10P - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPP15P10P
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPP15P10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SPP15P10P G.pdf
vorrätig: 4630

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Spezifikation

SPP15P10P Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPP15P10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPP15P10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1.54mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 10.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 128W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer SPP15P  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPP15P10P.

Produkteigenschaften SPP15P10P SPP15N60C3 SPP16N50C3 SPP15P10P H
Artikelnummer SPP15P10P SPP15N60C3 SPP16N50C3 SPP15P10P H
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 128W (Tc) 156W (Tc) 160W (Tc) 128W (Tc)
Serie SIPMOS® - CoolMOS™ Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 1280 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube - Bulk Bulk
Grundproduktnummer SPP15P - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1.54mA 3.9V @ 675µA 3.9V @ 675µA 2.1V @ 1.54mA
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 600 V 500 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 16A (Tc) 15A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 10.6A, 10V 280mOhm @ 9.4A, 10V 280mOhm @ 10A, 10V 240mOhm @ 10.6A, 10V

SPP15P10P Datenblatt PDF

Laden Sie SPP15P10P PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPP15P10P - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 22/Feb/2008.pdf
Datenblätter
SPP15P10P G.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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