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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPP15P10PHXKSA1
SPP15P10PHXKSA1 Image
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SPP15P10PHXKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPP15P10PHXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPP15P10PHXKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SPP15P10PHXKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4530

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Anzahl

Spezifikation

SPP15P10PHXKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPP15P10PHXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPP15P10PHXKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1.54mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 10.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 128W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer SPP15P  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPP15P10PHXKSA1.

Produkteigenschaften SPP15P10PHXKSA1 SPP15P10P SPP15P10PH SPP15N60C3
Artikelnummer SPP15P10PHXKSA1 SPP15P10P SPP15P10PH SPP15N60C3
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Grundproduktnummer SPP15P SPP15P - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie SIPMOS® SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 10.6A, 10V 240mOhm @ 10.6A, 10V 240mOhm @ 10.6A, 10V 280mOhm @ 9.4A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
Verlustleistung (max) 128W (Tc) 128W (Tc) 128W (Tc) 156W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 600 V
Paket Tube Tube Bulk -
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1.54mA 2.1V @ 1.54mA 2.1V @ 1.54mA 3.9V @ 675µA
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 25 V 1180 pF @ 25 V 1280 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V

SPP15P10PHXKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie SPP15P10PHXKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPP15P10PHXKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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