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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPP47N10
SPP47N10 Image
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SPP47N10 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPP47N10
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPP47N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SP(I,P,B)47N10.pdf
vorrätig: 5270

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Spezifikation

SPP47N10 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPP47N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPP47N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 33A, 10V  
Verlustleistung (max) 175W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc)  
Grundproduktnummer SPP47N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPP47N10.

Produkteigenschaften SPP47N10 SPP47N10L SPP42N03S2L-13 SPP4435S8RG
Artikelnummer SPP47N10 SPP47N10L SPP42N03S2L-13 SPP4435S8RG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies VBSEMI
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc) 47A (Tc) 42A (Tc) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 1130 pF @ 25 V -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA 2V @ 2mA 2V @ 37µA -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 30.5 nC @ 10 V -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 33A, 10V 26mOhm @ 33A, 10V 12.9mOhm @ 21A, 10V -
Verlustleistung (max) 175W (Tc) 175W (Tc) 83W (Tc) -
Grundproduktnummer SPP47N SPP47N SPP42N -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 30 V -
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube -
Serie SIPMOS® SIPMOS® OptiMOS™ -

SPP47N10 Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
SP(I,P,B)47N10.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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