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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPP47N10L
SPP47N10L Image
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SPP47N10L - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPP47N10L
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPP47N10L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SP(I,P,B)47N10L.pdf
vorrätig: 5220

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Anzahl

Spezifikation

SPP47N10L Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPP47N10L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPP47N10L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 33A, 10V  
Verlustleistung (max) 175W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc)  
Grundproduktnummer SPP47N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPP47N10L.

Produkteigenschaften SPP47N10L SPP47N10 SPP4435WS8RGB SPP4925S8RG
Artikelnummer SPP47N10L SPP47N10 SPP4435WS8RGB SPP4925S8RG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies SYNCPOWER VBSEMI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 - -
Serie SIPMOS® SIPMOS® - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 175W (Tc) 175W (Tc) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
Paket Tube Tube - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 2mA 4V @ 2mA - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 33A, 10V 33mOhm @ 33A, 10V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc) 47A (Tc) - -
Grundproduktnummer SPP47N SPP47N - -

SPP47N10L Datenblatt PDF

Laden Sie SPP47N10L PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPP47N10L - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
SP(I,P,B)47N10L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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