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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC857BLP4-7
BC857BLP4-7 Image
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BC857BLP4-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
BC857BLP4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-BC857BLP4-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 45V 0.1A 3DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
BC857BLP4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 299570

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Anzahl

Spezifikation

BC857BLP4-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - BC857BLP4-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - BC857BLP4-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse X2-DFN1006-3  
Serie -  
Leistung - max 250 mW  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BC857  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated BC857BLP4-7.

Produkteigenschaften BC857BLP4-7 BC857BFZ-7B BC857BFA-7B BC857BMTF
Artikelnummer BC857BLP4-7 BC857BFZ-7B BC857BFA-7B BC857BMTF
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer BC857 BC857 BC857 BC857
Frequenz - Übergang 100MHz 100MHz 340MHz 150MHz
Leistung - max 250 mW 435 mW 435 mW 310 mW
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 15nA 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V 45 V 45 V 45 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN 3-XFDFN 3-XFDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device-Gehäuse X2-DFN1006-3 X2-DFN0606-3 X2-DFN0806-3 SOT-23-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 500mV @ 5mA, 100mA 500mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA

BC857BLP4-7 Datenblatt PDF

Laden Sie BC857BLP4-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für BC857BLP4-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chg 5/Apr/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015.pdf
Datenblätter
BC857BLP4.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BC857BLP4-7

Diodes Incorporated
32D-BC857BLP4-7

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